LED燈珠和LED芯片有什么區別?

LED芯片是一種固態的半導體器件，它可以直接把電轉化為光。它是LED燈珠的心臟。

而LED燈珠則是將LED芯片的一端附在一個支架上，一端是負極，另一端連接電源的正極，使整個晶片被環氧樹脂封裝起來而組成的一個發光體。

1、兩者的光線集中度不同，射程也不同：

LED燈珠的角度做的非常小，屬于光線比較集中，射程的很遠，但是照射范圍有限;而LED貼片的一般角度做的都很大，屬于光線比較散亂，照射范圍廣，但是射程比較近。

2、采用的發光方式不同：

LED燈珠是采用放電放光，而LED貼片采用於冷性發光。3、優缺點不同：

LED燈珠：對于led燈珠，led燈珠外形經歷了直插、貼片，隨著技術進步，順理成章地出現了將多個led發光芯片，高度集成直接封裝在基板上(電路、散熱一體設計)，形成結構緊湊、大功率、超大功率led發光元件，這就是“COB”(看似一個燈珠，實際上是一組燈珠)。

LED芯片：集成LED一般是市場上對COB光源的一種別稱，但實際上并不能將COB光源的特點描述清楚。COB指Chip-On-Board，將小功率芯片直接封裝到鋁基板上快速散熱，芯片面積小，散熱效率高、驅動電流小。因而具有低熱阻、高熱導的高散熱性。

相比普通SMD小功率光源特點：亮度更高，熱阻小(<6℃/W)，光衰更小，顯指更高，光斑完美，壽命長。

可靠性Reliability是led燈珠的耐久力的測定，主要典型的ICled燈珠的生命周期可以用浴缸曲線Bathtub Curve表示。

如該圖所示，集成電路的故障原因大致分為三個階段。

Region（I）被稱為早逝期，這個階段led燈珠的失效率急速下降，失效的原因是IC設計和生產過程的缺陷。

Region（II）被稱為使用期間，該階段led燈珠的失效率穩定，失效的原因多為溫度變化等隨機。

Region（III）被稱為磨損期，這個階段led燈珠的失效率急速上升，失效的原因是led燈珠長期使用導致的老化等。

軍需產業級零部件老化篩選

設備壽命測試

ESD等級、Latchup測試評價

高溫成分試驗

集成電路微缺陷分析

包缺陷無損檢測及分析

電氣移動、熱載波評價分析

根據考試等級分為以下種類。

一、使用壽命測試項目（Life testitems）

EFR：早期失效等級考試（Early fail Rate Test）

目的：評估過程的穩定性，加速缺陷的低效，消除因天生原因而失效的led燈珠。

試驗條件：在特定時間內使溫度和電壓動態上升led燈珠試驗

失效機制：因生產氧化層缺陷、金屬電鍍、離子污染等而失效的材料或工藝缺陷

基準：

JESD22-A108-A

EIAJED- 4701-D101

HTOL/LtoL:高/低溫操作壽命測試（High/Low Temperature Operating Life）

目的：評估設備在超熱和超電壓下的耐力

測試條件：125℃，1.1VCC，動態測試

失效機制：電子遷移、氧化層破裂、相互擴散、不穩定、離子污染等

引用數據：

在125°C的條件下通過1000小時的試驗IC保證4年的持續使用，2000小時的試驗可以保證8年的持續使用。150℃1000小時試驗使用保證8年、2000小時使用保證28年

基準：

MIT-STD-883E Method 1005.8

JESD22-A108-A

EIAJED- 4701-D101

二、環境測試項目Environmental testitems

PRE-CON：預處理測試（（Precondition Test）

目的：模擬使用前在一定濕度、溫度條件下保存的耐久力，即IC從生產到使用之間保存的可靠性

THB：加速式溫濕度及偏壓試驗（Temperature Humidity Bias Test）

目的：ICled燈珠在高溫、高濕、偏壓條件下對濕氣的抵抗能力進行評價，加速其失效過程

測試條件：85℃，85%RH，1.1VCC，Static bias

失效機制：電解腐蝕

基準：

JESD22-A101-D

EIAJED- 4701-D122

高加速溫濕度及偏壓測試（HAST:Highly AcceleratEDStress Test）

目的：ICled燈珠評價偏壓下的高溫、高濕、高氣壓條件下對濕度的抵抗能力，加速其失效過程

測試條件：130℃，85%RH，1.1VCC，Static bias，2.3atm

失效機制：電離腐蝕，封裝密封性

基準：

JESD22-A110

pCT：高壓蒸煮試驗PREssure Cook TestAutoclave Test）

目的：ICled燈珠高溫、高濕、高氣壓條件下對濕度的抵抗能力進行評價，加速其失效過程

測試條件：130℃，85%RH，Static bias，15PSIG（2atm

失效機制：化學金屬腐蝕、封裝密封性

基準：

JESD22-A102

EIAJED- 4701-B123

*HAST和THB的區別在于溫度高，實驗時間考慮到壓力因素可以縮短，但pCT不偏壓，濕度增加。

TCT：高低溫循環測試（Temperature Cycling Test）

目的：評估ICled燈珠中不同熱膨脹系數金屬之間界面的接觸良率。該方法是將循環流的空氣從高溫反復變化到低溫。

試驗條件：

CONdition B:-55℃ to 125℃

CONdition C: -65℃ to 150℃

失效機制：電介質的斷裂，導體和絕緣體的斷裂，不同界面的分層

基準：

MIT-STD-883E Method 1010.7

JESD22-A104-A

EIAJED- 4701-B-131

TST：高低溫沖擊試驗（ThermAlShock Test）

目的：評估ICled燈珠中不同熱膨脹系數金屬之間界面的接觸良率。該方法是由循環流引起的液體從高溫到低溫的反復變化。

試驗條件：

CONdition B: - 55℃ to 125℃

CONdition C: - 65℃ to 150℃

失效機制：電介質的斷裂、材料的劣化bond wires、導體的機械變形

基準：

MIT-STD-883E Method 1011.9

JESD22-B106

EIAJED- 4701-B-141

*TCT和TST的區別是，TCT偏向package的考試，TST偏向結晶園的考試

HTST：高溫儲藏試驗（High Temperature Storage Life Test）

目的：ICled燈珠評價實際使用前在高溫條件下維持數年不工作狀態的生命時間

試驗條件：150℃

失效機制：化學和擴散效果，Au？Al共金效果

基準：

MIT-STD-883E Method 1008.2

JESD22-A103-A

EIAJED- 4701-B111

可焊性試驗（Solderability Test ）

目的：IC leads錫粘合過程中可靠性的評價

測試方法：

第1步：蒸汽老化8小時

第二步：在245℃的錫缽中浸泡5秒

失效標準（Failure Criterion）：至少95%的良率

具體的測試條件和估計結果可以參考以下基準。

MIT-STD-883E Method 2003.7

JESD22-B102

SHTTest：焊接熱耐久測試（Solder Heat Resistivity Test）

目的：對瞬間高溫IC靈敏度的評價

試驗方法：進入260°C錫缽10秒

失效標準（Failure Criterion）：根據電氣試驗結果

具體的測試條件和估計結果可以參考以下基準。

MIT-STD-883E Method 2003.7

EIAJED- 4701-B106

三、耐久性試驗項目（Enderance testitems

循環耐久試驗（Enderance Cycling Test）

目的：評估非易失性memory設備的多次讀寫后的持續性能

Test Method：將數據寫入memory的存儲器單元，刪除數據，重復該過程多次

試驗條件：室溫或以上，每個數據的讀寫次數達到100k~100k

基準：

MIT-STD-883E Method 1033

數據保持力測試（Data Retention Test）

目的：反復讀寫后，加速非易失性memory設備存儲節點的電荷損失

測試條件：在高溫條件下memory將數據寫入存儲器單元后，多次讀取驗證單元的數據

失效機制：150℃

基準：

MIT-STD-883E Method 1008.2

MIT-STD-883E Method 1033

相同瓦數led燈是燈珠好還是cod集成芯片好?

當然是燈珠的好，燈珠的是各自封裝成片，對散熱及光線均勻性都有好處，而且光衰更慢，更加耐用，cob直接用芯片直接封裝的，封裝方式更簡便，價格上也就相對更便宜，但質量上比不上用燈珠的。